广西90黑碳化硅抽尘粉,因其2g/cm3的比重及较高的升华温度(约2700°C),碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下,它都不会熔化,且具有相当低的化学活性。由于其高热导性高崩溃电场强度及高电流密度,在半导体高功率元件的应用上,不少人试着用它来取代硅。此外,它与微波辐射有很强的耦合作用,并其所有之高升华点,使其可实际应用于加热金属。

碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下,它都不会熔化,且具有相当低的化学活性。由于其高热导性高崩溃电场强度及高电流密度,在半导体高功率元件的应用上,不少人试着用它来取代硅。此外,它与微波辐射有很强的耦合作用,并其所有之高升华点,使其可实际应用于加热金属。纯碳化硅为无色,而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物。晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致。

碳化硅有两种晶型β-SiC和α-SiC。β-SiC为立方晶系,从2100℃开始到2400℃不可逆地缓慢转化为方晶系α-SiC。在转化温度下保温时间于转化量。β-SiC真密度为21g/cm³,α-SiC为22g/cm³。通常,在碳化硅耐火制品中碳化硅多为α-SiC。它具有很低的热膨胀性,约为莫来石的二分之一。导热性很高,在室温下热导率约为35W/(m·℃),它随温度升高略有下降,但在高温下仍很高,例如在1300℃仍在11W/(m·℃)以上。

碳化硅化学性能稳定导热系数高热膨胀系数小耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的耐火材料,耐热震体积小重量轻而强度高,节能效果好。低品级碳化硅(含SiC约85%)是极好的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量。此外,碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。

碳化硅是用石英砂石油焦(或煤焦木屑(出产绿色碳化硅时需要加食盐等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。目前我国产业出产的碳化硅分为玄色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为方晶体,比重为20~2显微硬度为2840~3320kg/mm2。碳化硅是Si和C二元系统中的二元化合物。其原子比是11。

碳化硅有两种晶型β-SiC和α-SiC。β-SiC为立方晶系,从2100℃开始到2400℃不可逆地缓慢转化为方晶系α-SiC。在转化温度下保温时间于转化量。β-SiC真密度为21g/cm³,α-SiC为22g/cm³。通常,在碳化硅耐火制品中碳化硅多为α-SiC。它具有很低的热膨胀性,约为莫来石的二分之一。导热性很高,在室温下热导率约为35W/(m·℃),它随温度升高略有下降,但在高温下仍很高,例如在1300℃仍在11W/(m·℃)以上。

碳化硅各类型体问的转化不产生体积效应。一般认为SiC中微量杂质的固溶,既影响了αβ晶型间的转化,也影响了多型体之间热稳定性关系的转化,例如SiC中生成固溶体的硼和氮可以促进转化,而杂质Fe的存在又促进了β一α的转化,Al的固溶加速SiC的-4H转化,并且使4H多型体稳定化,SiC是共价键性很强的化合物。SiC在高温下仍保持高的键合强度,因此SiC硬度高,弹性模量大,具有优良的耐磨损性能,SiC不会被大多数酸碱溶液所侵蚀。

中国碳化硅冶炼生产工艺技术装备和单吨能耗达到水平。在生产过程中很少使用大型机械设备,很多工序依靠人力完成,人均碳化硅产量较低;在碳化硅深加工产品上,对粒度砂和微粉产品的质量管理不够精细,产品质量的稳定性不够;三是某些产品的性能指标与发达同类产品相比有一定差距;冶炼过程中直接排放。中国碳化硅冶炼几乎全部是开放式冶炼,全部直排。

如果炉体和炉料透气性太差,炉内会形成很高的正压。这种压力会大大降低炉内反应动力,使反应能力减小,反应速度下降。从而影响冶炼炉的产量和产品的质量。炉内的正压高,会使炉芯温度不正常迅速升高,炉料的区间温差梯度加大,会造成冶炼炉中心部位有分解温度,外层无再结晶温度,阻碍了反应向正方向发展。当炉内压力升到一定数值后,将会使碳化硅晶筒形成多硅结晶或富硅性熔体。